[博海拾贝0822]这条鱼看起来很好吃

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拾贝本文由材料人专栏科技顾问罗博士供稿。利用原位表征的实时分析的优势，博海来探究材料在反应过程中发生的变化。

它不仅反映吸收原子周围环境中原子几何配置，拾贝而且反映凝聚态物质费米能级附近低能位的电子态的结构，拾贝因此成为研究材料的化学环境及其缺陷的有用工具。博海而机理研究则是考验科研工作者们的学术能力基础和科研经费的充裕程度。材料结构组分表征目前在储能材料的常用结构组分表征中涉及到了XRD,NMR,XAS等先进的表征技术，拾贝此外目前的研究也越来越多的从非原位的表征向原位的表征进行过渡。

密度泛函理论计算（DFT）利用DFT计算可以获得体系的能量变化，博海从而用于计算材料从初态到末态所具有的能量的差值。XANES X射线吸收近边结构（XANES）又称近边X射线吸收精细结构（NEXAFS），拾贝是吸收光谱的一种类型。

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拾贝d）原始SnS2 FETs的相应输出特性。博海团队相关重要文献：Zhou,L.Gan,W.M.Tian,Q.Zhang,S.Y.Jin,H.Q.Li,Y.Bando,D.Golberg,T.Y.Zhai*,UltrathinSnSe2FlakesGrownByChemicalVaporDepositionforHighPerformancePhotodetectors,Adv.Mater.2015,22,8035-8041.Zhou,X.Z.Hu,S.S.Zhou,H.Y.Song,Q.Zhang,L.J.Pi,L.Li,H.Q.Li,J.T.Lü,T.Y.Zhai*,TunnelingDiodeBasedonWSe2/SnS2HeterostructureIncorporatingHighDetectivityandResponsivity,Adv.Mater.2018,30,1703286.Z.Hu,P.Huang,B.Jin,X.W.Zhang,H.Q.Li*,X.Zhou*,T.Y.Zhai*,Halide-InducedSelf-LimitedGrowthofUltrathinNonlayeredGeFlakesforHigh-PerformancePhototransistors,J.Am.Chem.Soc.2018,140,12909-12914.Lv,F.W.Zhuge*,F.J.Xie,X.J.Xiong,Q.F.Zhang,N.Zhang,Y.Huang,T.Y.Zhai*,Two-DimensionalBipolarPhototransistorEnabledbyLocalFerroelectricPolarization,Nat.Commun.2019,10,3331.Han,P.Huang,L.Li,F.K.Wang,P.Luo,K.L.Liu,X.Zhou,H.Q.Li,X.W.Zhang,Y.Cui*,T.Y.Zhai*,Two-dimensionalInorganicMolecularCrystals,Nat.Commun.2019,10,4728.F.K.Wang,T.Gao,Q. Zhang,Y. Hu,B. Jin,L. Li,X. Zhou,H.Q. Li,G.V.Tendeloo,T.Y. Zhai*,LiquidAlloyAssisted Growthof2DTernaryGa2In4S9toward High-PerformanceUVPhotodetection,Adv.Mater.2019,31,1806306.Luo,F.W.Zhuge*,F.K.Wang,L.Y.Lian,K.L.Liu,J.B.Zhang,T.Y.Zhai*,PbSeQuantumDotsSensitizedHigh-Mobility2DBi2O2SeNanosheetsforHigh-PerformanceandBroadbandPhotodetectionBeyond2µm,ACSNano2019, 13,9028-9037.Jin,F.Liang,Z.Y.Hu,P.Wei,K.L.Liu,X.Z.Hu,G.V.Tendeloo,Z.S.Lin,H.Q.Li,X.Zhou*,Q.H.Xiong*,T.Y.Zhai*, NonlayeredCdSeflakeshomojunctions, Adv.Funct.Mater. 2020,30,1908902.W.Shu,Q.J.Peng,P.Huang,Z.Xu,A.A.Suleiman,X.W.Zhang,X.D.Bai,X.Zhou*,T.Y.Zhai*,GrowthofUltrathinTernaryTeallite(PbSnS2)FlakesforHighlyAnisotropicOptoelectronics,Matter2020,2,977.F.K.Wang,Z.Zhang,Y.Zhang,A.M.Nie,W.Zhao,D.Wang,F.Q.Huang*,T.Y.Zhai*,HoneycomnRhI3FlakeswithHighEnvironmentalStabilityforOptoelectronics,Adv.Mater.2020,32,2001979.本文由木文韬翻译编辑。

拾贝c）原始SnS2的能带结构和DOS。d-f）原始和经O2等离子体处理的SnS2薄片的d）O1s、博海e）S2p、f）S2p状态的XPS光谱。